仪器编号：登录后查看
所属平台： 其他
仪器状态：
所属单位： 浙江大学 > 信息与电子工程学院 > 微纳加工中心
仪器生产商： 德国HEIDELBERG INSTRUMENTS
购置日期： 2019-05-27
规格型号： DWL66+
放置地址：玉泉校区 > 微电子楼（功率器件研究楼） > 一层 > 超净室内103
仪器管理员：孙颖
联系电话：登录后查看
| 工作时间： | 6:30-24:00 |
|---|---|
| 最小可预约时间段： | 0.25 小时 |
| 最大可预约时间段： | 168 小时 |
| 日历最小单位： | 0.25 小时 |
| 最近提前预约时间： | 未授权用户: 0小时； 普通资格用户: 0小时； 资深资格用户: 0小时 |
| 最远提前预约时间： | 初级: 12 天 0 点； 普通: 7 天 12 点； 资深: 3 周 0 点 |
| 最大有效预约次数： | 10 次/天 |
| 无代价撤销预约时间： | 30 分钟 |
| 仪器介绍： | HEIDELBERG DWL66+激光直写系统设备主要用于亚微米尺度图形化及掩膜版制备工艺，并具备在各种衬底上进行激光直写光刻工艺、MEMS器件双面套刻、光刻胶灰阶光刻功能（设备本身无灰度曝光功能，灰阶光刻需做特殊处理）。 该设备主要功能：1.光刻掩模版制备；2.微纳图形直写；3.双面套刻。 传统光刻过程中，需要先利用特定图形的掩模版对光刻胶进行选择性曝光。 但是在研发阶段，或在转移石墨烯、二硫化钼等二维材料后进行电极制备时，样品图案需要经常修改，而掩模版制作较耗时，不能满足缩短研发周期的需求。 激光直写系统提供了快捷灵活的解决方案。它可以在不需要掩模版的情况下，直接对光刻胶直写图案，大大缩短研发初期的实验周期，节省时间。 该设备采用激光作为光源，透过高精度的光学透镜组，最小直写精度可以达到0.6µm，工作台平台定位激光干涉仪分辨率10 nm，能够精准的提高光刻图形的定位精度，提高光刻图形的质量，实现大面积高精度无掩膜直写曝光。 该系统可在涂有光刻胶的各种基片，玻璃，硅片，或其它平面材料上进行图形曝光。广泛应用于光掩模版制备；半导体芯片、MEMS、传感器、MOEMS、集成光学等图形的制作。 |
| 主要参数： | 1. 最大样品尺寸7inch×7inch。 2. 有效曝光面积200mm×200mm。 3. 最大样品厚度6mm。 4. 样品尺寸要求：边长1.5cm以上。 5. 激光波段：405nm。 6. 激光能量：300mW。 7. 激光写头：高精度2mm（最小线宽0.6µm）；普通精度10mm（最小线宽1.5µm），低精度20mm（最小线宽2µm）。 8. 最小特征尺寸：0.6µm、1µm 、2µm。 9. 描绘网格：10nm、50nm、100nm。 10. 线宽均匀性：60nm、130nm、180nm。 11. 套刻对准精度：0.1µm、0.25µm、0.4µm。 12. 光绘速度：6mm2/分钟、150mm2/分钟、600mm2/分钟。 |
| 序号 | 标题 | 文件数量 | 添加时间 | 操作 |
|---|
检测项目名称：Heiderberg DWL66激光直写
检测资质：wu
检测单位：微纳加工中心
仪器数量：1
| 序号 | 标题 | 添加时间 |
|---|---|---|
| 1 | DWL激光直写SOP | 2026-06-13 18:17:11 |
| 2 | DWL工艺流程 | 2026-06-13 10:47:20 |
| 3 | 图形转移工艺流程及设备选用 | 2026-06-12 22:27:21 |
| 备案收费标准 | 登录后可查看 |
|---|---|
| 说明：原则上按备案收费标准执行，实际收费标准可在仪器预约时查看或咨询仪器管理员。 | |
