步进式激光直写曝光系统

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检测项目
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仪器介绍
主要参数

工作时间：	8:30-17:30
最小可预约时间段：	0.25 小时
最大可预约时间段：	168 小时
日历最小单位：	0.25 小时
最近提前预约时间：	未授权用户: 0小时；普通资格用户: 0小时；资深资格用户: 0小时
最远提前预约时间：	初级: 3 天 0 点；普通: 3 天 0 点；资深: 5 天 0 点
最大有效预约次数：	5 次/天
无代价撤销预约时间：	720 分钟

序号	标题	文件数量	添加时间	操作

检测项目名称：Heiderberg DWL66激光直写

检测资质：wu

检测单位：微纳加工中心

仪器数量：1

序号	标题	添加时间
暂无数据

仪器介绍：	该设备可用于：1.光刻掩模版制备；2.微纳图形直写。传统激光刻蚀过程中，需要先利用特定图形的掩模版对光刻胶曝光。但是在产品研发阶段，样品图案需要经常修改，而掩模版制作较耗时，不能满足研究者缩短研发周期的需求。激光直写系统则专门为研究机构提供了这样一个快捷灵活的解决方案。它可以在不需要掩模版的情况下，直接对光刻胶书写图案，从而使得激光刻蚀过程更加快捷方便，在研发初期可以大大缩短实验周期，节省时间。该设备采用激光作为光源，透过高精度的光学透镜组，最小直写精度可以达到0.6um，而且工作台平台定位激光干涉仪分辨率10 nm，能够精准的提高光刻图形的提高光刻图形的质量，实现大面积高精度无掩膜直写曝光。该系统主要用于涂有光刻胶的各种基片，玻璃，硅片，或其它平面材料的图形曝光。广泛应用于光掩模版制备；半导体芯片、MEMS、传感器、MOEMS、集成光学等图形的制作。

仪器介绍：

该设备可用于：1.光刻掩模版制备；2.微纳图形直写。
传统激光刻蚀过程中，需要先利用特定图形的掩模版对光刻胶曝光。
但是在产品研发阶段，样品图案需要经常修改，而掩模版制作较耗时，不能满足研究者缩短研发周期的需求。
激光直写系统则专门为研究机构提供了这样一个快捷灵活的解决方案。它可以在不需要掩模版的情况下，直接对光刻胶书写图案，从而使得激光刻蚀过程更加快捷方便，在研发初期可以大大缩短实验周期，节省时间。
该设备采用激光作为光源，透过高精度的光学透镜组，最小直写精度可以达到0.6um，而且工作台平台定位激光干涉仪分辨率10 nm，能够精准的提高光刻图形的提高光刻图形的质量，实现大面积高精度无掩膜直写曝光。
该系统主要用于涂有光刻胶的各种基片，玻璃，硅片，或其它平面材料的图形曝光。广泛应用于光掩模版制备；半导体芯片、MEMS、传感器、MOEMS、集成光学等图形的制作。

主要参数：	最大基板尺寸7inch×7inch；有效曝光面积200mm×200mm。样品尺寸要求：边长1.5cm以上；最大基板厚度6mm。激光波段405nm；激光能量300mW。配0.6μm、1μm、2μm三种不同分辨率激光写头。最小特征尺寸：0.6um、1um、2um。描绘网格：10nm、50nm、100nm。线宽均匀性：60nm、130nm、180nm。套刻对准精度：0.1μm、0.25μm、0.4μm。光绘速度：6 mm2/分钟、150 mm2/分钟、600 mm2/分钟。

主要参数：

最大基板尺寸7inch×7inch；有效曝光面积200mm×200mm。样品尺寸要求：边长1.5cm以上；最大基板厚度6mm。激光波段405nm；激光能量300mW。配0.6μm、1μm、2μm三种不同分辨率激光写头。最小特征尺寸：0.6um、1um、2um。描绘网格：10nm、50nm、100nm。线宽均匀性：60nm、130nm、180nm。套刻对准精度：0.1μm、0.25μm、0.4μm。光绘速度：6 mm2/分钟、150 mm2/分钟、600 mm2/分钟。

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