电子束直写设备 - 仪器详情

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检测项目
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仪器介绍
主要参数

工作时间：	08:30-17:30
最小可预约时间段：	0.25 小时
最大可预约时间段：	72 小时
日历最小单位：	0.25 小时
最近提前预约时间：	未授权用户: 0小时；普通资格用户: 0小时；资深资格用户: 0小时
最远提前预约时间：	初级: 2 天 0 点；普通: 3 天 0 点；资深: 4 天 0 点
最大有效预约次数：	5 次/天
无代价撤销预约时间：	1440 分钟

序号	标题	文件数量	添加时间	操作

检测项目名称：VOYAGER 50KV电子束直写

检测资质：无

检测单位：微纳加工中心

仪器数量：1

序号	标题	添加时间
暂无数据

仪器介绍：	主要功能：光学光刻掩模板的制备；各种碎片、50 mm及100 mm基片微纳米图案的直写，最小线宽<10 nm。特色：快速——直观好用的Windows7操作环境；自动聚焦和消象散设置；一键式预置高分辨或高产出模式；功能全面的NanoSuite软件，包括邻近效应修正和GDSII CAD图形编辑；写场大至500 μm，实时进行动态修正；新研制的静电偏转器；50 MHz图形发生器；曝光效率高至1cm2/h（占空比50%）。应用范围：Voyager是一款高性价比采用创新的eWrite体系结构的电子束光刻设备，采用50kV eWrite 电子束技术，应用于5英寸以下掩模版、4英寸以下wafer的高速直写，适合衍射光学元件、防伪元件的加工及化合物半导体器件的高速加工。样品尺寸：4英寸圆片，向下兼容。5英寸掩模板。预约前需按照微纳加工中心要求注册、培训及考核。首次使用设备前请联系负责老师，培训考核通过后自行预约使用。

仪器介绍：

主要功能：光学光刻掩模板的制备；各种碎片、50 mm及100 mm基片微纳米图案的直写，最小线宽<10 nm。

特色：快速——直观好用的Windows7操作环境；自动聚焦和消象散设置；一键式预置高分辨或高产出模式；功能全面的NanoSuite软件，包括邻近效应修正和GDSII CAD图形编辑；写场大至500 μm，实时进行动态修正；新研制的静电偏转器；50 MHz图形发生器；曝光效率高至1cm2/h（占空比50%）。

应用范围：Voyager是一款高性价比采用创新的eWrite体系结构的电子束光刻设备，采用50kV eWrite 电子束技术，应用于5英寸以下掩模版、4英寸以下wafer的高速直写，适合衍射光学元件、防伪元件的加工及化合物半导体器件的高速加工。

样品尺寸：4英寸圆片，向下兼容。5英寸掩模板。

预约前需按照微纳加工中心要求注册、培训及考核。首次使用设备前请联系负责老师，培训考核通过后自行预约使用。

主要参数：	电子枪加速电压50kV。束电流范围5pA~40nA。最小束斑尺寸2.5nm。图形发生器扫描频率50MHz，20bit分辨率，最小步距0.5nm。写场范围：0.5μm~500μm连续可调且无子写场。束流稳定性 <0.2% / h。束位置稳定性 <120nm / 8h。最小线宽验收 ≤ 8nm，光栅周期≤ 40nm。拼接精度：100μm写场≤20nm；500μm写场 ≤30nm。套刻精度：100μm写场≤20nm；500μm写场≤25nm。移动工作台模式：traxx和periodixx可实现零拼接曝光，用于直写长路径波导、光子晶体等重复性图案，无拼接误差。自动聚焦和消象散设置；一键式预置高分辨或高产出模式。样品尺寸：4英寸圆片，向下兼容。5英寸掩模板。

主要参数：

电子枪加速电压50kV。束电流范围5pA~40nA。最小束斑尺寸2.5nm。图形发生器扫描频率50MHz，20bit分辨率，最小步距0.5nm。写场范围：0.5μm~500μm连续可调且无子写场。束流稳定性 <0.2% / h。束位置稳定性 <120nm / 8h。最小线宽验收 ≤ 8nm，光栅周期≤ 40nm。拼接精度：100μm写场≤20nm；500μm写场 ≤30nm。套刻精度：100μm写场≤20nm；500μm写场≤25nm。移动工作台模式：traxx和periodixx可实现零拼接曝光，用于直写长路径波导、光子晶体等重复性图案，无拼接误差。自动聚焦和消象散设置；一键式预置高分辨或高产出模式。样品尺寸：4英寸圆片，向下兼容。5英寸掩模板。

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