场发射透射电子电镜（透射电镜）

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仪器介绍：	可实现TEM像、高分辨像、STEM像、选区电子衍射、纳米束电子衍射、HAADF像、明/暗场像、二次电子/背散射电子成像、微区元素成分分析；电压连续可调，可实现胶原、牙本质等电子束敏感材料成像；搭配功能样品杆，可实现加热、通气、电学、力学等原位反应研究以及三维重构等功能；广泛应用于半导体、催化、金属、能源、钙钛矿及生物医学等领域的物质结构及成分演化过程的微观机理研究；服务院系单位：在材料科学、医学、物理学、化学化工、环境、冶金工程、力学等领域皆可应用。

仪器介绍：

可实现TEM像、高分辨像、STEM像、选区电子衍射、纳米束电子衍射、HAADF像、明/暗场像、二次电子/背散射电子成像、微区元素成分分析；

电压连续可调，可实现胶原、牙本质等电子束敏感材料成像；

搭配功能样品杆，可实现加热、通气、电学、力学等原位反应研究以及三维重构等功能；

广泛应用于半导体、催化、金属、能源、钙钛矿及生物医学等领域的物质结构及成分演化过程的微观机理研究；

服务院系单位：在材料科学、医学、物理学、化学化工、环境、冶金工程、力学等领域皆可应用。

主要参数：	1.成像分辨率：点分辨率：≤0.19nm@200KV; 线分辨率：≤0.10nm@200KV，≤0.14nm@80KV; STEM分辨率：≤0.16nm@200KV，0.31nm@80KV; HAADF分辨率：≤0.16 nm 2.能谱分辨率：单个SDD芯片面积≥100 mm2 ，总面积≥200 mm2，能量分辨率：122ev，元素分析范围：4Be-92U；