感应耦合等离子干法刻蚀系统

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仪器介绍
主要参数

工作时间：	09:00-12:00;14:00-18:00
最小可预约时间段：	0.5 小时
最大可预约时间段：	168 小时
日历最小单位：	0.5 小时
最近提前预约时间：	未授权用户: 24小时；普通资格用户: 24小时；资深资格用户: 24小时
最远提前预约时间：	初级: 720 小时 0 点；普通: 720 小时 0 点；资深: 720 小时 0 点
最大有效预约次数：	5 次/天
无代价撤销预约时间：	1440 分钟

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仪器介绍：	主要应用于半导体材料、Si、SiO2、SiNx、光刻胶等薄膜的干法刻蚀，具有刻蚀速率高、各向异性好等优点。

主要参数：	RF源600W，ICP源3kW，13.56MHz射频发生器；100mTorr真空计；配SF6、C4F8、CHF3、O2、Ar、He、Cl2、BCl3、HBr、H2、CH411路气体；Ni普通刻蚀速率≥30nm/min刻蚀速率范围5~50nm/min均匀性±5%（四英寸）0.3:1（PR）0.5:1（SiO2）刻蚀角度85°批间不均匀性±3%。TiO2刻蚀速率≥20nm/min刻蚀速率范围5~50nm/min均匀性±5%（四英寸）选择比0.5:1(PR)，10:1(Cr、Al、Ni)刻蚀角度85°批间不均匀性±3%。InP刻蚀工艺：刻蚀深度10um普通刻蚀速率≥750nm/min刻蚀速率范围5~1500nm/min均匀性±10:1(SiOx/SiNx)刻蚀角度90±3°批间不均匀性±3%。GaAs刻蚀工艺：刻蚀深度20um刻蚀速率≥350nm/min刻蚀速率范围20~1500nm/min均匀性±5%（四英寸）选择比10:1(SiOx)，3:1(PR)刻蚀角度90±3°批间不均匀性±3%。

主要参数：

RF源600W，ICP源3kW，13.56MHz射频发生器；100mTorr真空计；配SF6、C4F8、CHF3、O2、Ar、He、Cl2、BCl3、HBr、H2、CH411路气体；Ni普通刻蚀速率≥30nm/min刻蚀速率范围5~50nm/min均匀性±5%（四英寸）0.3:1（PR）0.5:1（SiO2）刻蚀角度85°批间不均匀性±3%。TiO2刻蚀速率≥20nm/min刻蚀速率范围5~50nm/min均匀性±5%（四英寸）选择比0.5:1(PR)，10:1(Cr、Al、Ni)刻蚀角度85°批间不均匀性±3%。InP刻蚀工艺：刻蚀深度10um普通刻蚀速率≥750nm/min刻蚀速率范围5~1500nm/min均匀性±10:1(SiOx/SiNx)刻蚀角度90±3°批间不均匀性±3%。GaAs刻蚀工艺：刻蚀深度20um刻蚀速率≥350nm/min刻蚀速率范围20~1500nm/min均匀性±5%（四英寸）选择比10:1(SiOx)，3:1(PR)刻蚀角度90±3°批间不均匀性±3%。