碳化硅氧化炉 - 仪器详情

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工作时间：	08:30-17:30
最小可预约时间段：	0.5 小时
最大可预约时间段：	168 小时
日历最小单位：	0.5 小时
最近提前预约时间：	未授权用户: 24小时；普通资格用户: 24小时；资深资格用户: 24小时
最远提前预约时间：	初级: 720 小时 0 点；普通: 720 小时 0 点；资深: 720 小时 0 点
最大有效预约次数：	5 次/天
无代价撤销预约时间：	1440 分钟

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仪器介绍：	采用高温氧化炉对碳化硅表面进行氧化，再腐蚀氧化层，去除基片表面损伤层。在碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT器件中，采用高温氧化工艺，生成高质量低界面态密度的栅氧化层，改善SiO2/SiC界面，获得低界面陷阱密度、高MOS沟道迁移率，是研制SiC MOSFET的必不可少的工艺。

主要参数：	碳化硅单晶或其他半导体器件工艺中的高温氧化或退火工艺。最高温度：1400℃。稳定工作温度不低于1350℃。升温速度不低于20°C/min。炉管内真空度可低至1 mbar；腔体内可测金属污染物的含量不高于10E12 atoms/cm2。样品尺寸：最大6英寸, 可同时5片, 向下兼容。工艺气体：O2、N2O、NO、N2、Ar 具备O2、NO、N2O、Ar、N2等工艺气体高温退火能力。

主要参数：

碳化硅单晶或其他半导体器件工艺中的高温氧化或退火工艺。最高温度：1400℃。稳定工作温度不低于1350℃。升温速度不低于20°C/min。炉管内真空度可低至1 mbar；腔体内可测金属污染物的含量不高于10E12 atoms/cm2。样品尺寸：最大6英寸, 可同时5片, 向下兼容。工艺气体：O2、N2O、NO、N2、Ar 具备O2、NO、N2O、Ar、N2等工艺气体高温退火能力。