仪器编号：登录后查看
所属平台： 其他
仪器状态：
所属单位： 浙江大学 > 材料科学与工程学院 > 半导体材料研究所
仪器生产商： 沈阳创一真空技术有限公司
购置日期： 2021-07-30
规格型号： LPCVD-300,极限真空度6X10-5Pa，真空漏率 优
放置地址：111
仪器管理员：李东升
联系电话：登录后查看
| 工作时间： | 09:00-12:00;14:00-18:00 |
|---|---|
| 最小可预约时间段： | 0.5 小时 |
| 最大可预约时间段： | 168 小时 |
| 日历最小单位： | 0.5 小时 |
| 最近提前预约时间： | 未授权用户: 24小时； 普通资格用户: 24小时； 资深资格用户: 24小时 |
| 最远提前预约时间： | 初级: 720 小时 0 点； 普通: 720 小时 0 点； 资深: 720 小时 0 点 |
| 最大有效预约次数： | 5 次/天 |
| 无代价撤销预约时间： | 1440 分钟 |
| 序号 | 标题 | 文件数量 | 添加时间 | 操作 |
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| 序号 | 标题 | 添加时间 |
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| 暂无数据 | ||
| 仪器介绍： | 半导体薄膜生长；激光原位退火；图案化生长 |
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| 主要参数： | 1.极限真空：6×10-6Pa；真空漏率：＜10-8Pa·L·s-12.最高加热温度：1000℃，控温精度±1℃；3.激光控制：连续/调制两种模式可选，可进行功率调节（0%~100%），频率调制（最大调制频率1000Hz），可设定温度自动调控激光功率，加热面积：直径6英寸，确保中间80%区域光强均匀性优于5%。 |
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