主要用于光刻区图形转移工艺后的表面形貌实时观测。也可用于各类芯片、固体材料、透明和非透明样品的形貌观察、划痕和缺陷检测。。

可实现50-1000倍放大。

透射、反射模式。

明场、ADF高级暗场、偏光、微分干涉观察和拍照。

图像进行二维测量，标注。

手动景深扩展。

手动图形拼接。

数据多格式保存。