1、 可提实现单层氧化物原子生长，样品最大8英寸（向下兼容）；
2、最高沉积温度350℃（前驱体通道最高200℃）；
3、薄膜均匀性好，8寸片，Al2O3小于1%，HfO2和SiO2小于3%；
4、6通道，热源4个，冷源2个