设备主腔体采用双腔（真空腔+反应腔）热壁反应腔室设计。

 进样室配置loader-lock系统。

 反应腔工艺温度为室温至450℃，温控精度满足±1℃以内。

 反应腔体可以用来沉积8英寸（200mm）的衬底，兼容8英寸以下的衬底。

 可通过水氧法生长氧化物材料，等离子体生长氮化物材料，配备的金属源有Al、Ti、Hf。