基本信息

  • 生产厂商 英国Oxford
  • 资产编号 19022481
  • 资产负责人 陈长鸿
  • 购置日期2019-11-18
  • 仪器价格257.63 万元
  • 仪器产地英国
  • 仪器供应商
  • 购买经办人
  • 主要配件
  • 主要参数RF源600W，ICP源3kW，13.56MHz射频发生器；100mTorr真空计；配SF6、C4F8、CHF3、O2、Ar、He、Cl2、BCl3、HBr、H2、CH411路气体；Ni普通刻蚀速率≥30nm/min刻蚀速率范围5~50nm/min均匀性±5%（四英寸）0.3:1（PR）0.5:1（SiO2）刻蚀角度85°批间不均匀性±3%。TiO2刻蚀速率≥20nm/min刻蚀速率范围5~50nm/min均匀性±5%（四英寸）选择比0.5:1(PR)，10:1(Cr、Al、Ni)刻蚀角度85°批间不均匀性±3%。InP刻蚀工艺：刻蚀深度10um普通刻蚀速率≥750nm/min刻蚀速率范围5~1500nm/min均匀性±10:1(SiOx/SiNx)刻蚀角度90±3°批间不均匀性±3%。GaAs刻蚀工艺：刻蚀深度20um刻蚀速率≥350nm/min刻蚀速率范围20~1500nm/min均匀性±5%（四英寸）选择比10:1(SiOx)，3:1(PR)刻蚀角度90±3°批间不均匀性±3%。

仪器介绍

主要应用于半导体材料、Si、SiO2、SiNx、光刻胶等薄膜的干法刻蚀，具有刻蚀速率高、各向异性好等优点。