基本信息

  • 生产厂商 德国Carl Zeiss公司
  • 资产编号 11009542
  • 资产负责人 王伟
  • 购置日期2011-06-30
  • 仪器价格631.50 万元
  • 仪器产地中国
  • 仪器供应商
  • 购买经办人
  • 主要配件
  • 主要参数本仪器采用液态Ga离子源,离子束成像分辨率达2.5nm@30kV,离子加速电压介于2-30kV,加工束流1pA-20nA多档可选。在50nm线宽条件下,加工材料为单晶Si,加工深宽比可优于5:1。极限加工线宽10nm(仅针对部分材料),最大加工视场423um。为便于对加工样品及时成像,仪器搭载有场发射扫描电子显微镜(SEM)。电子束系统:分辨率:优于3nm电子加速电压:200V-30kV电子束流:最大束流不小于10nA

仪器介绍

基于玻璃、光学晶体、氧化物等介质材料的低维纳米线、条、孔等导波结构的精密制备;纳米尺度的金属表面等离子体共振结构、导波结构、衬底结构的制备和加工;亚波长量级的光子晶体结构、负折射率材料结构的加工制备;氧化物半导体纳米结构的高精度表面处理、结构加工和制备;其他无源和有源纳米光子结构和材料的制备和改性,各种微纳结构剖面观察。该设备购置以来,为材料、物理、化学、生物、光电等相关学科的研究人员提供各种微纳结构的加工服务。