用于测量硅基稀土发光器件的电致发光瞬态光谱、发光峰位和发光强度等，有助于分析硅基稀土发光器件中载流子的输运和复合.300-1700nm，纳秒到微妙寿命测量；35V，1A电致激励电源，自由空间耦合光路，多轴可调.微区测试。